Kitas pavyzdinis „Qualcomm“ pavyzdinis sistemos lustas bus „ Snapdragon 835“. Neseniai bendrovė pristatė šį naujos kartos procesorių, pakeisdama populiarųjį „Snapdragon 821“ ir „820“, aptinkamą šiuolaikinėje techninėje įrangoje, kartu su daugiau nei 200 jų rinkoje esančių „Snapdragon“ modelių dizainų.

Bendrovė neatskleidė daug informacijos apie jų naujai suprojektuoto lusto architektūrą. Štai tai, ką iki šiol žinome apie „Snapdragon 835“ procesorių:

• Lustas pagamintas naudojant 10 nm (nanometrą) „Samsung FinFET“ technologiją, todėl tai yra pirmoji pramonėje puslaidininkių technologija, priešingai nei 14 nm procesas, naudojamas 821.
• Procesorius pagamintas iš nanomedžiagų - mažesnių nei 100 nanometrų (nm) molekulių ir atomų, turinčių skirtingas savybes nei jų didesnių dalelių ekvivalentai: kai kurios patobulintos nanomedžiagų savybės yra lengvesnis svoris, didesnis stiprumas ir didesnis cheminis reaktyvumas.

Be to, „Samsung“ tvirtina, kad 10 nm proceso metu galima išmatuoti 30% padidintą teritorijos efektyvumą, 27% didesnį našumą ar 40% mažesnes energijos sąnaudas - turbūt atsižvelgiant į panašų darbo krūvį, palyginti su ankstesnės bendrovės „Snapdragon 820“. serijos.

Džiaugiamės galėdami toliau dirbti kartu su „Samsung“ kurdami produktus, kurie vadovauja mobiliųjų telefonų pramonei “, - sakė„ Qualcomm Technologies “produktų valdymo vyresnioji viceprezidentė Keith Kressin. Inc. “Tikimasi, kad naudodamiesi naujuoju 10 nm proceso mazgu, mūsų aukščiausios klasės„ Snapdragon 835 “procesorius leis efektyviau naudoti energiją ir padidins našumą, leisdamas mums pridėti daugybę naujų galimybių, kurios galėtų pagerinti rytojaus mobiliųjų įrenginių naudotojų patirtį.

„Qualcomm“ kredituoja 10 nm mazgą už savo greitojo įkrovimo technologiją, kuri yra funkcija, sukurta maksimaliai įtampai ir srovei per USB laidus padidinti, siekiant padidinti energijos efektyvumą ir bendrą įrenginio veikimą. Tačiau nė viena galinga savybė neatsiranda be savo apribojimų. Žinoma, kad nestandartinis signalizavimas ir nestandartinis jungčių naudojimas USB kabeliu sukelia keletą nesuderinamumo problemų.

Be to, teigiama, kad „Quick Charge“ technologija siūlo 20% greitesnį įkrovimo laiką kartu su galimybe užtikrinti net 5 valandų baterijos veikimą vos per 5 minutes. „Qualcomm“ savo ieškinį grindė vidiniu 2750mAh akumuliatoriaus, kuris yra gana standartinio dydžio akumuliatorius, vidutinio „premium“ išmaniojo telefono, šiuo metu esančio rinkoje, testavimu.

„Qualcomm Snapdragon 835“ lustai pasirodys rinkoje kitų metų pradžioje.